晶体管结构并不复杂，却有非常多的种类。最常见的两种晶体管应该要属双极型晶体管（三极管）和MOSFET管（MOS管）。

2012年前，我司只有双极性结型晶体管（BJT），我司在2012年开发出了高频MOSFET管（VDMOS）。

l     BJT：全称双极性结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），俗称三极管

双极性结型晶体管（三极管）分为两种：NPN和PNP。NPN是一个双极结晶体管（BJT），有三条腿，分别是：基极（b）、集电极（c）、发射极（e），NPN晶体管是最常见的三极管（BJT）。但是还有另一种称为PNP晶体管，其工作方式相同，只是所有电流都朝相反的方向。

l     MOSFET：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)），简称场效应管

MOSFET管是另一种非常常见的晶体管类型。它也具有三个引脚：栅极（G）、漏极（D）、源极（S）

双极型晶体管（三极管）和MOSFET管（MOS管）同为晶体管，他们异同之处如下：

l     双极型晶体管（三极管）和MOSFET管（MOS管）的类似之处：

MOS管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，左下图图示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，右下图图示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。

l     双极型晶体管（三极管）和MOSFET管（MOS管）的不同是：

1）MOS管是电压控制电流器件，经过栅极电压操控源漏间导通电阻，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，经过基极较小的电流操控较大的集电极电流。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。

2）MOS管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此MOS管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。

3）MOS管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以MOS管比三极管的温度稳定性好。

4）MOS管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多,因此MOS管协调能力比晶体管好。

5）MOS管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级、及要求信噪比较高的电路中要选用MOS管。